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HSBA0256
2个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- SGT MOS技术 100%保证耐雪崩能力 开关速度快 有环保型器件可供选择。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0256
- 商品编号
- C2987720
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 851pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品特性
- SGT MOS 技术
- 100% 保证耐雪崩能力
- 快速开关速度
- 提供环保器件
应用领域
- 电池供电系统
- 便携式设备
- 硬开关和高速电路
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