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HSS06P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- HSS06P03 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS06P03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS06P03
- 商品编号
- C2987708
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.181nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
经过100%单脉冲雪崩耐量测试 超级沟槽技术
- 表面贴装封装
- 湿敏等级1级 最高结温175°C
应用领域
- 电机驱动器-DC/DC转换器