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HSS2P15
1个P沟道 耐压:150V 电流:2A
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- 描述
- 特性：100% EAS保证。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：负载开关。 电源管理
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS2P15
- 商品编号
- C2987710
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-防静电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器