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APM4500AKC-TRG
双增强型MOSFET（N沟道和P沟道）
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- 描述
- N+P
- 品牌名称
- ANPEC(茂达电子)
- 商品型号
- APM4500AKC-TRG
- 商品编号
- C368568
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- N沟道：20V / 8A
- N沟道：在VGS = 4.5V时，RDS(ON)=22mΩ（典型值）
- N沟道：在VGS = 2.5V时，RDS(ON)=30mΩ（典型值）
- P沟道：-20V / -4.3A
- P沟道：在VGS = -4.5V时，RDS(ON)=80mΩ（典型值）
- P沟道：在VGS = -2.5V时，RDS(ON)=105mΩ（典型值）
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
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