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IXTQ52P10P
1个P沟道 耐压:100V 电流:52A
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dV/dt额定。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低Qg和Rds(on)特性。应用：高端开关。 推挽放大器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTQ52P10P
- 商品编号
- C2980971
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.845nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将漏源导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 国际标准封装
- 快速本征二极管
- 动态 dV/dt 额定值
- 雪崩额定值
- 耐用的 PolarPTM 工艺
- 低 QG 和RDS(ON)特性
- 低漏极到散热片电容
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-电流调节器-自动测试设备