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HYG110N11LS1C2
N沟道 耐压:115V 电流:60A
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- 描述
- 特性：115V/60A，导通电阻RDS(ON) = 9.8mΩ（典型值），VGS = 10V；导通电阻RDS(ON) = 14.5mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC电源管理。 快速充电器应用
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG110N11LS1C2
- 商品编号
- C2980991
- 商品封装
- PDFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 115V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 71.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.606nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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