ESD5B5CL5B

ESD5B5CL采用伟攀穿通工艺的TVS技术设计，旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。其出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3播放器、数码相机及其他对电路板空间要求严苛的便携式应用。此外，因其电容值低，还适用于USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI等高速线路应用等高频设计。 该系列专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受ESD（静电放电）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。

• 峰值功率耗散：80 W（8 x 20 μs波形）。
• 关断电压：5.0 V。
• 可替代MLV（0603）。
• 保护I/O端口。
• 低钳位电压。
• 低泄漏电流。
• 低电容。
• 低本体高度：1.68 mg。
• 适用于高速接口的低电容（<10 pF）。
• 至1.06 Hz无插入损耗。
• 响应时间<1 ns。
• 满足MSL 1要求。
• 符合ROHS标准。
• 固态穿通TVS工艺技术。
• 伟攀技术。

• 高速线路：USB1.0/2.0、VGA、DVI、SDI。
• 串行和并行端口。
• 笔记本电脑、台式机、服务器。
• 投影电视。
• 手机及配件。
• 便携式仪器。
• 外设。
• USB静电放电保护。
• I/O线路保护。