CY7C195-15VC
CY7C195-15VC
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- CY7C195-15VC
- 商品编号
- C2959612
- 商品封装
- BSOJ-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 150mA | |
| 待机电流 | 20mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C194、CY7C195和CY7C196是高性能CMOS静态RAM,组织为65,536×4位。通过低电平有效的芯片使能(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE1、CE2)和三态驱动器,提供简便的内存扩展。它们具有自动断电功能,在取消选择时功耗降低75%。当芯片使能(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE1、CE2)和写使能(WE)输入均为低电平时,完成对设备的写入。四个输入引脚(I/O0至I/O3)上的数据被写入由地址引脚(A0至A15)指定的内存位置。通过将芯片使能(CY7C194和CY7C195上的CE,CY7C196上的CE、CE2)置为低电平,同时写使能(WE)保持高电平,完成对设备的读取。在此条件下,由地址引脚指定的内存位置的内容将出现在四个数据输出引脚上。使用芯片涂层以确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 取消选择时自动断电
- 输出使能(OE)功能(7C195和7C196)
- CMOS用于速度/功率
- 高速,tAA=25
- 低工作功耗880 mW
- 低待机功耗220 mW
- TTL兼容输入和输出
- 能够承受大于2001V的静电放电

