CY7C1021BV33L-15ZXI
CY7C1021BV33L-15ZXI
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- 商品型号
- CY7C1021BV33L-15ZXI
- 商品编号
- C2955942
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 140mA | |
| 待机电流 | 500uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1021BV是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₁至I/O₈)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₉至I/O₁₆)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₁至I/O₈上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O₉至I/O₁₆上。该器件在未选中(CE为高电平)、输出禁用(OE为高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE为高电平)或写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₁至I/O₁₆)处于高阻态。CY7C1021BV有400密耳宽的SOJ、标准44引脚TSOP II型和48球微型BGA封装。
商品特性
- 3.3V 操作 (3.0V-3.6V)
- 高速
- tAA = 10/12/15 ns
- CMOS 用于速度/功率
- 低活动功耗(L 版本)— 576 mW(最大值)
- 低 CMOS 待机功耗(L 版本)— 1.80 mW(最大值)
- 取消选择时自动断电
- 独立控制上位和下位
- 提供 44 引脚 TSOP II 和 400-mil SOJ 封装
- 提供 48 球 Mini BGA 封装
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