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HY10P10D
停产 1个P沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY10P10D
- 商品编号
- C357996
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 225mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品特性
- -100V/-10A
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 187mΩ（典型值），栅源电压VGS = -10V
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 208mΩ（典型值），栅源电压VGS = -4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 逆变器系统电源管理