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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
AO8822采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作，同时保持12V的最大栅源电压VGS(MAX)额定值。该器件采用共漏极配置，适用于作为单向或双向负载开关。