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AO4832
2个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于开关电源（SMPS）中的高端开关和通用应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4832
- 商品编号
- C357833
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.201克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
AO4832采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(on)。 该器件适用于开关模式电源（SMPS）中的高端开关及通用应用。