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AO4892
2个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 使用沟槽MOSFET技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)、输入电容Ciss和输出电容Coss的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4892
- 商品编号
- C357830
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
AO4892采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。