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IRFPE30PBF
N沟道 MOSFET,电流:2.6A,耐压:800V
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- 描述
- N沟道,800V,4.1A,3Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFPE30PBF
- 商品编号
- C2930
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率水平较高而无法使用TO - 220AB器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装类似，但由于其安装孔绝缘，性能更优。它还提供了更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-中央安装孔绝缘-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC