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IR2108STRPBF

高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器

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描述: IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2108STRPBF
商品编号: C2964
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.219克(g)

商品参数

商品概述

IR2108(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互依赖的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计，可在高达+600V的电压下完全正常工作，耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10至20V
双通道欠压锁定
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
交叉导通预防逻辑
双通道匹配的传播延迟
高端输出与HIN输入同相
低端输出与LIN输入反相
逻辑地和功率地有+/-5V偏移
内部死区时间为540ns，通过一个外部RDT电阻（IR21084）可将死区时间编程至最长5μs
较低的di/dt栅极驱动器，具有更好的抗噪性
提供无铅封装

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	350mA
	拉电流(IOH)	200mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	150ns
	下降时间(tf)	50ns
	传播延迟 tpLH	220ns
	传播延迟 tpHL	200ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	静态电流(Iq)	1mA