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IR2110STRPBF

高端和低端驱动器

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描述
600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
商品型号
IR2110STRPBF
商品编号
C2968
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
1.062克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)2A
拉电流(IOH)2A
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)110ns
下降时间(tf)25ns
传播延迟 tpLH120ns
传播延迟 tpHL94ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
静态电流(Iq)180uA

商品概述

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达500V或600V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,可在高达+500V或+600V的电压下完全正常工作,能耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰。
  • 栅极驱动电源范围为10至20V。
  • 双通道均具备欠压锁定功能。
  • 与3.3V逻辑兼容,独立的逻辑电源范围为3.3V至20V,逻辑地和功率地之间允许±5V的偏移。
  • 带有下拉电阻的CMOS施密特触发输入。
  • 逐周期边沿触发的关断逻辑。
  • 双通道的传播延迟匹配。
  • 输出与输入同相。

数据手册PDF

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(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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