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IR2111SPBF

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描述: IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2111SPBF
商品编号: C2970
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.286克(g)

商品参数

商品概述

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。内部设有死区时间，以避免输出半桥出现直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 600 伏。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计，可在高达 +600V 的电压下完全正常工作，能耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
栅极驱动电源范围为 10 至 20V
双通道均具备欠压锁定功能
带下拉电阻的 CMOS 施密特触发输入
双通道的传播延迟匹配
内部设置死区时间
高端输出与输入同相
也提供无铅版本

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	420mA
	拉电流(IOH)	200mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	80ns
	下降时间(tf)	40ns
	传播延迟 tpLH	750ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)