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IRF7832TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7832TRPBF
- 商品编号
- C3002
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.32V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS为4.5V时，导通电阻RDS(on)极低
- 超低栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 最大栅极额定电压VGS为20V
- 100%测试栅极电阻Rg
应用领域
- 笔记本处理器电源同步MOSFET-网络系统中隔离式DC-DC转换器同步整流MOSFET