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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
功率(Pd) | 40W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 480mΩ@10V,3.9A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 350pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |