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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR21531STRPBF

自振荡半桥驱动器

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描述
IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
商品型号
IR21531STRPBF
商品编号
C2985
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)-
工作电压10V~15.6V
属性参数值
上升时间(tr)80ns
下降时间(tf)45ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)
静态电流(Iq)500uA

商品概述

IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。

商品特性

  • 集成 600V 半桥栅极驱动器
  • Vcc 上有 15.6V 齐纳钳位
  • 真正的微功耗启动
  • 更精确的初始死区时间控制
  • 低温度系数死区时间
  • CT 引脚上有关断功能(1/6 Vcc)
  • 增加欠压锁定迟滞(1V)
  • 低功耗电平转换电路
  • 启动时 LO、HO 脉冲宽度恒定
  • 更低的 di/dt 栅极驱动器,具有更好的抗噪性能
  • 低端输出与 RT 同相
  • 内部 50nsec(典型值)自举二极管(IR21531D)
  • 所有输入和输出均具有出色的抗闩锁能力
  • 所有引脚均有 ESD 保护
  • 也提供无铅版本

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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