IRGP35B60PDPBF
采用NPT技术、具有正温度系数的n沟道SMPS IGBT,内置超快软恢复二极管,适用于电信、服务器、PFC和ZVS SMPS电路等
- 描述
- N沟道,Vce=600V,Ic=60A,Vce(on)=1.85V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRGP35B60PDPBF
- 商品编号
- C2953
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 308W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 3uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.715nF | |
| 输出电容(Coes) | 265pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 47pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 220uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 215uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 42ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
