温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFPF40PBF
1个N沟道 耐压:900V 电流:4.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,900V,4.7A,2.5Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFPF40PBF
- 商品编号
- C2933
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代HEXFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高而无法使用TO - 220器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247封装。TO - 247与早期的TO - 218封装类似，但由于其安装孔绝缘，性能更优。它还增加了引脚间的爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 中央安装孔绝缘
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 无铅