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AP2012
2个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- AP2012采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP2012
- 商品编号
- C353065
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCEP0178A采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 78A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.2 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 9.5 mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流