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AP3407S
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- SOT23-3 塑封封装P 道MOS 场效应管。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP3407S
- 商品编号
- C353081
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
SOT23-3 塑封封装的 P 沟道 MOS 场效应管。P 沟道 MOSFET，采用 SOT23-3 塑料封装。
商品特性
- 漏源电压(V) = -30V
- 漏极电流 = -4.1A
- 导通电阻 < 60mΩ(栅源电压 = -10V)
- 导通电阻 < 87mΩ(栅源电压 = -4.5V)
应用领域
-适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用。-该器件适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。