1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.9A 电流:6A
- 订单数量按照以下:
- 第一阶梯9折
- 第二阶梯9折
- 第三阶梯9折
- 第四阶梯9折
- 5+: ¥0.637146 ¥0.70794
- 50+: ¥0.476183 ¥0.529092
- 150+: ¥0.395701 ¥0.439668
- 500+: ¥0.33534 ¥0.3726 (折合1圆盘1490.4元)
5+: |
¥0.637146 ¥0.70794 |
50+: |
¥0.476183 ¥0.529092 |
150+: |
¥0.395701 ¥0.439668 |
500+: |
¥0.33534 ¥0.3726 (折合1圆盘1490.4元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6.9A;6A | |
功率(Pd) | 2W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22.5mΩ@10V,6.9A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.84nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 77pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |