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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP55N03K

1个N沟道 耐压:30V 电流:30A

描述
采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻,且栅极电荷较低,可用于多种应用。
品牌名称
ALLPOWER(铨力)
商品型号
AP55N03K
商品编号
C353074
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.357克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC
输入电容(Ciss)1nF@15V
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品概述

AP55N03采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 30A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 12mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 15mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
  • 出色的封装,散热性能良好
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF