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AP2012
2个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- AP2012采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP2012
- 商品编号
- C353065
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCEP0178A采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 20V, ID = 12A
- R D S (ON) < 11m Ω(V G S = 4. 5 V 时)
- R D S (ON) < 14m Ω(V G S = 2. 5 V 时)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-单向负载开关-双向负载开关