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LP137N3T5G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
- 描述
- 特性：VDS = -20V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 快速开关。 栅极到源极ESD保护。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP137N3T5G
- 商品编号
- C2936675
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 890mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 54pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
VNP35N07是一款采用VIPower技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。 内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。 通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 快速开关。
- 栅源极静电放电保护。
- 我们声明产品材料符合RoHS标准且无卤。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统