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LDN2367T1G
N沟道增强型功率MOSFET,电流:6A,耐压:20V
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- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LDN2367T1G
- 商品编号
- C2936676
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6A
- RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@4.5A = 20mΩ
- RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@3.5A = 25mΩ
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
- 高功率和电流处理能力
- 产品为无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理