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LP4217T1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V，RDS(ON) ≤ 26mΩ，VGS @ 4.5V。 RDS(ON) ≤ 34mΩ，VGS @ 2.5V。 trench技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用：负载开关。 DC/DC转换
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP4217T1G
- 商品编号
- C2936680
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.629nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 192pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 198pF |
商品概述
UTC 7N65-ML 是一款高压功率 MOSFET，采用先进的沟槽式 MOSFET 设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 当栅源电压(VGS)为 -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 26 mΩ
- 当栅源电压(VGS)为 -2.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 34 mΩ
- 采用低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤
应用领域
-负载开关-直流-直流转换-电机驱动