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LN7910DT1WG
1个N沟道 耐压:150V 电流:60A
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- 描述
- 特性：先进的封装和硅组合，实现低RDS(on)和高效率。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用：DC-DC转换
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN7910DT1WG
- 商品编号
- C2936692
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.407nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 256pF |
商品概述
TDM3482C采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 采用先进的封装与硅片组合,实现低导通电阻(RDS(on))和高效率。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
应用领域
- 直流 - 直流转换