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LN2604DT2AG
1个N沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 描述
- 特性：VDS = 60V。 RDS(ON) ≤ 35mΩ，VGS@10V，IDS@5A。 RDS(ON) ≤ 40mΩ，VGS@4.5V，IDS@4A。 低RDS(ON)沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。应用：DC/DC转换。 电源路由
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2604DT2AG
- 商品编号
- C2936697
- 商品封装
- DFN2020-6S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V
- 漏源导通电阻(RDS(ON)) ≤ 35mΩ,栅源电压(VGS)为10V,漏极电流(IDS)为5A
- 漏源导通电阻(RDS(ON)) ≤ 40mΩ,栅源电压(VGS)为4.5V,漏极电流(IDS)为4A
- 低漏源导通电阻(RDS(ON))沟槽技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 我们声明该产品的材料无卤素且符合RoHS要求。
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换
- 功率路由
- 电机驱动