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S-LMUN5312DW1T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-LMUN5312DW1T1G

S-LMUN5312DW1T1G

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商品型号
S-LMUN5312DW1T1G
商品编号
C2936708
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
集射极击穿电压(Vceo)50V
属性参数值
集电极电流(Ic)100mA
输入电阻22kΩ

商品概述

BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,从而省去了这些组件。在LMUN5311DW1T1G系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT - 363封装中,这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。

商品特性

  • 简化电路设计
  • 减少电路板空间
  • 减少元件数量
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。
  • 以S开头的型号适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

数据手册PDF