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S-LNB2306ELT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-LNB2306ELT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:4A

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商品型号
S-LNB2306ELT1G
商品编号
C2936707
商品封装
SOT-23LC​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)900mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)370pF@15V
反向传输电容(Crss)21pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
  • 电压控制小信号开关
  • 坚固可靠
  • 高饱和电流能力

数据手册PDF