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LMUN5312DW1T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LMUN5312DW1T1G

双偏置电阻晶体管,NPN和PNP硅材质,表面贴装

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在该系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中,这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想的。简化电路设计,减少电路板空间,减少组件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
商品型号
LMUN5312DW1T1G
商品编号
C2936684
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)250mW
晶体管类型PNP+NPN
属性参数值
直流电流增益(hFE)60@5mA,10V
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻22kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

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