温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ESD3V3D8B
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：11.2A@8/20us
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 反向截止电压(Vrwm) 3.3 反向漏电流(IR) 1 击穿电压(VBR) 5 钳位电压(Vc)@Ipp 8.4 峰值脉冲功率(Ppp) 150 结电容(Cj)@37MHz 25
- 品牌名称
- Yint(音特电子)
- 商品型号
- ESD3V3D8B
- 商品编号
- C2920025
- 商品封装
- SOD-882
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 8.4V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 11.2A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 5V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 25pF |
商品概述
采用SOD-882封装的ESD3V3D8B可保护双向线路。这些器件旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。与MLV相比，它们具有卓越的电气特性，如更低的钳位电压且无器件性能退化问题。ESD3V3D8B旨在保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）及其他电压瞬变事件造成的损坏或故障。
商品特性
- 封装：SOD882封装
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 在8 x 20 μs脉冲下，峰值功率高达150 W
- 典型响应时间 <1.0 ns
- 符合IEC61000-4-2 4级ESD保护标准
应用领域
- 手机
- 便携式设备
- 数码相机
- 电源