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LN8320DT1AG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LN8320DT1AG

1个N沟道 耐压:30V 电流:25A

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描述
特性:低导通电阻 (RDS(on)) 沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料无卤,符合 RoHS 要求。应用:电源路由。 DC/DC 转换
商品型号
LN8320DT1AG
商品编号
C2912037
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.5W
阈值电压(Vgs(th))2.1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)130pF
反向传输电容(Crss)110pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

数据手册PDF