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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LP2707DT2AG

P沟道增强型MOSFET,电流:-7A,耐压:-20V

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商品型号
LP2707DT2AG
商品编号
C2912041
商品封装
U-DFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.9W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)797.3pF
反向传输电容(Crss)74.8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)88.5pF

商品特性

  • VDS = -20V
  • RDS(ON) ≤ 70 mΩ,VGS为 -4.5V,IDS为 -4.7A
  • RDS(ON) ≤ 110 mΩ,VGS为 -2.5V,IDS为 -1.0A
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
  • S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换

数据手册PDF