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LP2707DT2AG
P沟道增强型MOSFET,电流:-7A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2707DT2AG
- 商品编号
- C2912041
- 商品封装
- U-DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 797.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74.8pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88.5pF |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低导通电阻（RDS(on)）的P沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具备静电放电（ESD）保护
- 与PCJ3139K或TPM2030 - 3互补
应用领域
- 负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换