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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LP8314DT1AG

30V P通道MOSFET,电流:-12A,耐压:-30V

商品型号
LP8314DT1AG
商品编号
C2912045
商品封装
DFN3030-8B​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))38mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.539nF
反向传输电容(Crss)151pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)163pF

商品特性

  • Proprietary advanced planar technology
  • High-density, ultra-low resistance design
  • High-power and high-current applications
  • Ideal for lithium battery applications
  • Package types: SOT23-6, TSSOP-8

数据手册PDF