温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LP8314DT1AG
30V P通道MOSFET,电流:-12A,耐压:-30V
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP8314DT1AG
- 商品编号
- C2912045
- 商品封装
- DFN3030-8B
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.539nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 当栅源电压(VGS)为 -10V、漏源电流(IDS)为 -5A 时,导通电阻(RDS(ON))≤25mΩ
- 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -5A 时,导通电阻(RDS(ON))≤38mΩ
- 采用低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术。
- 低热阻。
- 开关速度快。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
- 产品型号以 S 开头适用于汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
应用领域
-负载开关-DC/DC 转换-电机驱动