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LP3418DT2AG
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.4A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V，RDS(ON) ≤ 25mΩ，VGS@-10V，IDS@-7.3A。 RDS(ON) ≤ 38mΩ，VGS@-4.5V，IDS@-5.9A。 低RDS(ON)沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用：负载开关。 DC/DC转换
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP3418DT2AG
- 商品编号
- C2912042
- 商品封装
- U-DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 当栅源电压(VGS)为 -10V、漏源电流(IDS)为 -7.3A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 25mΩ
- 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -5.9A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 38mΩ
- 低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术。
- 低热阻。
- 快速开关速度。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
应用领域
-负载开关-直流-直流转换-电机驱动
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