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LP4435T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LP4435T1G

1个P沟道 耐压:30V 电流:9.5A

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描述
特性:低导通电阻 (rDs(on)) 沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。应用:负载开关。 DC/DC 转换
商品型号
LP4435T1G
商品编号
C2912043
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.186克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9.5A
导通电阻(RDS(on))37mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)19nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.539nF
反向传输电容(Crss)151pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF