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LNTK4003M3T5G
N沟道 MOSFET,电流:0.56A,耐压:30V
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- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LNTK4003M3T5G
- 商品编号
- C2912038
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 560mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 440mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低栅极电压阈值(VGS(th)),便于驱动电路设计
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 栅极具备静电放电保护
- 最小击穿电压额定值为30 V
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
应用领域
-电平转换器-电平开关-低端负载开关-便携式应用