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YJG40G10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJG40G10A
- 商品编号
- C2908523
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.051nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 399pF |
商品概述
WST2305A是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST2305A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% 漏源电压变化(▽VDS)测试
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源