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YJG80G06B
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 采用分离栅沟槽MOSFET技术。具备出色的散热封装。采用高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJG80G06B
- 商品编号
- C2908527
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 780pF |
商品概述
WST8205A是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST8205A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 用于笔记本电脑（MB）、上网本（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统