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YJG70G06A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

YJG70G06A

1个N沟道 耐压:60V 电流:70A

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描述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。采用高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
品牌名称
YANGJIE(扬杰)
商品型号
YJG70G06A
商品编号
C2908528
商品封装
PDFN5060-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)390pF

商品特性

  • VDS 60V
  • ID 70A
  • RDS(ON)(在 VGS=10 V 时)< 7.5 mΩ
  • RDS(ON)(在 VGS=4.5 V 时)< 9.5 mΩ
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试
  • 100% 进行了∇VDS测试

应用领域

-直流-直流转换器-电源管理功能-工业和电机驱动应用

数据手册PDF