YJS12G06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJS12G06D
- 商品编号
- C2908530
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个4000个/圆盘
总价金额:
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