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YJQ62G06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:62A
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- 描述
- 采用分裂栅极Trienc MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJQ62G06A
- 商品编号
- C2908529
- 商品封装
- DFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
WSP4800是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP4800符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 电池供电系统
- 工业DC/DC转换电路
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