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YJP200G06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。散热封装出色。高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJP200G06A
- 商品编号
- C2908524
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品概述
MSK30N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且栅极电压低至4.5V时仍可工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS 60V
- ID 200A
- RDS(ON)(在 VGS=10 V 时)< 2.9 毫欧
- RDS(ON)(在 VGS=4.5 V 时)< 3.6 毫欧
- 100% 非钳位感应开关(UIS)测试
- 100% ▽VDS 测试
应用领域
-消费电子电源-隔离式DC-DC转换器-电机控制-逆变器