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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

YJG85G06AK

1个N沟道 耐压:60V 电流:85A

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描述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计,实现低RDS(ON)
品牌名称
YANGJIE(扬杰)
商品型号
YJG85G06AK
商品编号
C2908526
商品封装
PDFN5060-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70.78nC@10V
输入电容(Ciss)4.65nF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)850pF

商品概述

4409采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。

商品特性

  • VDS 60V
  • ID 85A
  • RDS(ON)(在 VGS = 10V 时)<3.7毫欧
  • RDS(ON)(在 VGS=4.5V 时)<5.0欧
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 100%进行了 \Delta VDS 测试
  • 静电放电(ESD)防护高达2.0KV(人体模型HBM)

应用领域

-直流-直流转换器-电源管理功能-同步整流应用

数据手册PDF