温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
YJG85G06AK
1个N沟道 耐压:60V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJG85G06AK
- 商品编号
- C2908526
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70.78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品概述
4409采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压 = -30 V
- 当栅源电压 = -4.5 V、漏极电流 = -12.0 A时，漏源导通电阻 < 15 mΩ
- 当栅源电压 = -10 V、漏极电流 = -15.0 A时，漏源导通电阻 < 12 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
-电池开关-负载开关-电源管理