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HYG007N03LS1C2
单N沟道,电流:220A,耐压:30V
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- 描述
- 特性：30V/220A。 RDS(ON) = 0.63mΩ (典型值) @VGS = 10V。 RDS(ON) = 0.96mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件。应用：开关应用。 DC/DC电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG007N03LS1C2
- 商品编号
- C2904120
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.072nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 30V/220A
- RDS(ON) = 0.63mΩ(典型值)@VGS = 10V
- RDS(ON) = 0.96mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件
应用领域
- 开关应用
- DC/DC电源管理
- 电池保护